Desenvolvimento de Transistor de Efeito de Campo Sensível a Íons (ISFET) para Quantificação da Massa de Fósforo Removido de Pacientes Renais Crônicos nas Sessões de Hemodiálise.
A hemodiálise é um procedimento
que busca remover o excesso de líquidos e
de substâncias acumuladas no organismo do
paciente com insuficiência renal. Substâncias
como o fósforo em excesso são prejudiciais ao
organismo, e o controle do seu nível sérico no
paciente renal crônico durante a hemodiálise
representa um desafio aos nefrologistas. O
nível de fósforo no sangue acima do normal
está associado à casos de óbitos de pacientes
renais crônicos. Para isto se propõe o
desenvolvimento de um transistor de efeito de
campo sensível a íons (ISFET) que possa ser
utilizado para quantificar a massa de fósforo no
dialisato total final extraída durante o processo
de hemodiálise. Inicialmente foi projetado e
caracterizado o dispositivo eletrólito-isolantesemicondutor
(EIS) para as medidas de pH e
para as medidas da concentração de fosfato
em solução. Utilizou-se filmes finos de óxido
de alumínio (Al2O3) amorfo depositado sobre
uma estrutura composta de uma camada fina
de óxido de silício (SiO2) sobre o substrato
de silício. Com o dispositivo EIS construído
se obteve uma sensibilidade de 107 mV/pH e
sensilibidade na medida da concentração de
fosfato de 347 mV/mg/dl. Para a realização
das medidas da massa de fósforo no dialisato
total final, o ISFET será implementado em
um dispisitivo eletrônico conectado a saída
da máquina de hemodiálise. Os testes com o
ISFET serão realizados no dialisato total final
fornecidas pelo Departamento de Clínica Médica
(Nefrologia) da Faculdade de Ciências Médicas
da Universidade Estadual de Campinas, e os
resultados obtidos serão comparados com os
realizados em laboratório.
Desenvolvimento de Transistor de Efeito de Campo Sensível a Íons (ISFET) para Quantificação da Massa de Fósforo Removido de Pacientes Renais Crônicos nas Sessões de Hemodiálise.
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Palavras-chave: ISFET, (Al2O3), hemodiálise, fosfato, filmes finos.
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Keywords: ISFET, (Al2O3), hemodialysis, phosphate, thin films.
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Abstract:
Hemodialysis is a procedure that seeks to remove excess fluid and
accumulated substances in the body of the patient with renal failure. Substances such
as excess phosphorus are harmful to the body, and controlling their serum levels in
the chronic renal patient during hemodialysis poses a challenge to nephrologists. The
level of phosphorus in the blood above normal is associated with cases of deaths of
chronic kidney patients. For this purpose the development of an ion-sensitive field effect
transistor (ISFET) is proposed which can be used to quantify the mass of phosphorus
in the final total dialysate extracted during the hemodialysis process. Initially, the
electrolyte-insulation-semiconductor device (EIS) was designed and characterized for
the pH measurements and for the measurements of the phosphate concentration in
solution. Thin films of amorphous aluminum oxide (Al2O3) deposited on a thin layer
of silicon oxide (SiO2) layer on the silicon substrate were used. With the built-in EIS
device a sensitivity of 107 mV/pH and sensibility was obtained for the measurement
of the phosphate concentration of 347 mV/mg/dl. For the measurement of the mass of
phosphorus in the final total dialysate, the ISFET will be implemented in an electronic
device connected to the output of the hemodialysis machine. The ISFET tests will be
performed in the final total dialysate provided by the Department of Clinical Nephrology
of the Faculty of Medical Sciences of the State University of Campinas, and the results
obtained will be compared with those performed in the laboratory.
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Número de páginas: 15
- Leandro Tiago Manera
- Helder José Ceragioli
- Rodrigo Bueno de Oliveira
- SERGIO HENRIQUE FERNANDES
