CARACTERIZAÇÃO MOTT-SCHOTTKY EM CÉLULA FOTOVOLTAICA DE SILÍCIO
Técnicas de caracterização têm sido
usadas no estudo do comportamento de células
solares fotovoltaicas. Neste trabalho, a técnica
eletroquímica Mott-Schottky foi usada na
caracterização de células solares fotovoltaicas
de silício. Diferente da abordagem tradicional,
o chamado comportamento Mott-Schottky foi
determinado para uma célula solar em função
da densidade de potência luminosa. Além
disso, a caracterização foi feita também para
células de silício danificadas. As quantidades de
densidade de luz usadas foram 0 mW/cm2
, 20
mW/cm2
, 40 mW/cm2
, 60 mW/cm2
, 80 mW/cm2
e 100 mW/cm2
sob um intervalo de frequências
de 0,1 MHz até 10 Hz para cada densidade. O
comportamento Mott-Schottky foi identificado à
alta frequência. Os gráficos de Mott-Schottky
revelaram fotogeração de corrente similar a
de um semicondutor do tipo n. Os resultados
mostraram que a técnica tem potencial para
aplicação na caracterização de dispositivos
fotovoltaicos.
CARACTERIZAÇÃO MOTT-SCHOTTKY EM CÉLULA FOTOVOLTAICA DE SILÍCIO
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DOI: ATENA
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Palavras-chave: Células Solares, Silício, Fotovoltaico, Mott-Schottky.
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Keywords: Solar Cells, Silicon, Photovoltaic, Mott-Schottky.
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Abstract:
0.1 MHz until 10 Hz per radiation. The Photovoltaic Mott-Schottky plots showed that
cells can be described as have an n-type dominant photoconductivity. The flat-band
potentials were estimated for the space charge capacitance at a high frequency to
mimic cell behavior without the influence of frequency into of the capacitance. The
results reveled that the technique has potential to photovoltaic applications.
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Número de páginas: 15
- Francisco Marcone Lima
