HIDRÓXIDO DE AMONIO COMO PRECURSOR DE NITRÓGENO PARA EL CRECIMIENTO DE NITRURO DE GALIO POR EL MÉTODO DE CRECIMIENTO POR CAPAS ATÓMICAS
Se llevo a cabo el crecimiento de películas delgadas de nitruro de galio por el método de capas atómicas. El crecimiento se realizó sobre substratos de silicio (100). Se utilizo hidróxido de amonio como un nuevo precursor de nitrógeno sustituyendo a los métodos tradicionales de plasma y amonio. El precursor de galio fue trimetil galio sigma-aldrich. La temperatura del substrato se fijó en 325°C de acuerdo con los resultados obtenidos para la ventana de temperaturas de crecimiento. Los resultados de espectroscopia de fotoelectrones de rayos x confirman el crecimiento de nitruro de galio. Los resultados de la microscopia electrónica de transmisión corroboran el depósito de la película y el espesor de esta. Con este trabajo se abre la alternativa para el crecimiento de materiales III-N a bajas temperaturas y con menor costo.
HIDRÓXIDO DE AMONIO COMO PRECURSOR DE NITRÓGENO PARA EL CRECIMIENTO DE NITRURO DE GALIO POR EL MÉTODO DE CRECIMIENTO POR CAPAS ATÓMICAS
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DOI: 10.22533/at.ed.3173122324042
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Palavras-chave: Hidróxido de amonio; nitruro de galio; películas delgadas; crecimiento por capas atómicas; silicio
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Keywords: ammonium hydroxide; gallium nitride; atomic layer deposition; thin films; silicium.
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Abstract:
The growth of gallium nitride thin films was conducted by atomic layer deposition method over silicon (100) substrates. Ammonium hydroxide was used as a new nitrogen precursor replacing the traditional plasma and ammonia methods. The gallium precursor was sigma-Aldrich trimethyl gallium. The substrate temperature was set at 325°C according to the results obtained for the growth temperature window. X-ray photoelectron spectroscopy results confirm the growth of gallium nitride. The results of the transmission electron microscopy corroborate the deposit of the film and its thickness. With this work, the alternative for the growth of III-N materials at low temperatures and with lower cost is opened.
- María Magdalena Montsserrat Contreras Turrubiartes
- Ulises Zavala Moran
- Jorge Alberto López Gallardo
- Miguel Angel Vidal Borbolla
- Edgar López Luna
